В корзине пусто!
Компания «Ярославский завод вторичных драгоценных металлов» скупает транзисторы КТ930 и другие виды радиодеталей по ценам выше. Продать транзисторы КТ930 нашей компании можно как в новом, так и в б/у состоянии. Цена б/у изделий рассчитывается в индивидуальном порядке. Мы работаем со всеми регионами России.
Характеристики КТ930
Материал p-n-перехода | Si |
Структура транзистора | NPN |
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора | 75 W |
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb) | 28 V |
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора | 0 V |
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb) | 4 V |
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max) | 6 A |
Предельная температура p-n перехода (Tj) | 150 C |
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора | 450 MHz |
Ёмкость коллекторного перехода (Cc) | 80 pF |
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min | 1.5 |