ООО «Ярославский завод вторичных драгоценных металлов» скупает транзисторы КТ802, КТ803, КТ808, КТ809 и КТ908. Мы предлагаем хорошую цену на транзисторы.
Транзисторы КТ802 и КТ803 применяются в схемах усилителей постоянного тока и генераторов строчной развертки. КТ802 также применяется в других видах усилителей мощности, а КТ803 — в источниках питания.
Транзистор КТ808 используют в ключевых схемах, генераторах строчной развертки и электронных регуляторах напряжения.
КТ809 применяется в импульсных и ключевых схемах.
КТ908 используется в стабилизаторах напряжения, преобразователях и импульсных модуляторах.
Характеристики транзисторов КТ802
B1-B2/Iк /А |
Fт МГц |
Uкэ/(Iк/Iб) В/(А/А) |
Uкб В |
Uкэ/R В/Ом |
Uэб В |
Iкм/Iкн А/А |
Iбм А |
Pк/Pт Вт/Вт |
Rпк C/Вт |
Пер |
15- 35/2 |
10 |
5(5/0.5) |
150 |
130/0 |
3 |
5/10 |
1 |
/50 |
2.5 |
n-p-n |
КТ803
B1-B2/Iк /А |
Fт МГц |
Cк/Uк пф/В |
Uкэ/(Iк/Iб) В/(А/А) |
Uкэ/R В/Ом |
Uэб В |
Iкм/Iкн А/А |
Pк/Pт Вт/Вт |
Rпк C/Вт |
Пер |
10- 70/5 |
20 |
260/ |
2.5(5/1) |
60/100 |
4 |
10/ |
/60 |
1.66 |
n-p-n |
Характеристики транзисторов КТ808
B1-B2/Iк /А |
Fт МГц |
Cк/Uк пф/В |
Uкэ/(Iк/Iб) В/(А/А) |
Uкэ/R В/Ом |
Uэб В |
Iкм/Iкн А/А |
Iбм А |
Pк/Pт Вт/Вт |
Rпк C/Вт |
Пер |
10- 50/6 |
7 |
500/100 |
1.5(6/1) |
120/10 |
4 |
10/ |
4 |
5/50 |
2 |
n-p-n |
Характеристики транзисторов КТ809
B1-B2/Iк /А |
Fт МГц |
Cк/Uк пф/В |
Uкэ/(Iк/Iб) В/(А/А) |
Uкэ/R В/Ом |
Uэб В |
Iкм/Iкн А/А |
Iбм А |
Pк/Pт Вт/Вт |
Rпк C/Вт |
Пер |
15-100/2 |
7 |
270/5 |
1.5(2/0.4) |
400/10 |
4 |
3/5 |
1.5 |
/40 |
2.5 |
n-p-n |
Характеристики транзисторов КТ908
B1-B2/Iк /А |
Fт МГц |
Cк/Uк пф/В |
Rб*Cк псек |
Uкэ/(Iк/Iб) В/(А/А) |
Uкэ/R В/Ом |
Uэб В |
Iкм/Iкн А/А |
Iбм А |
Pк/Pт Вт/Вт |
Rпк C/Вт |
Пер |
8- 60/10 |
30 |
700/10 |
2600 |
1.5(10/2) |
100/10 |
5 |
10/ |
5 |
/50 |
2 |
n-p-n |
Содержание драгоценных металлов в КТ802:
Содержание драгоценных металлов в КТ803:
Содержание драгоценных металлов в КТ808:
Содержание драгоценных металлов в КТ809:
Содержание драгоценных металлов в КТ908: