Ваш город: Ярославль
Микросхема 2ТС613Б

Микросхема 2ТС613Б

Артикул:
Модель: Микросхема 2ТС613Б

Хотите продать микросхемы 2ТС613Б - Вы в верном направлении! Компания «Ярославский завод вторичных драгоценных металлов» скупает микросхемы 2ТС613Б дорого.

Продать микросхемы 2ТС613Б Вы можете в новом или б/у состоянии. Возможен наличный и безналичный расчет.

Возможна почтовая пересылка. 

Основные технические параметры 2ТС613Б:

  • Транзисторные матрицы 2ТС613Б, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
  • Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
  • Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
  • Тип прибора указан на корпусе.
  • Масса матрицы не более 4 г.

Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС613Б

Структура транзисторной сборки n-p-n
Рк max - постоянная рассеиваемая мощность коллектора 800 мВт.
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером не менее 200 МГц.
Uкбо max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера 60 В.
Uэбо max - максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора 4 В.
Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора 400 мАэ.
Iк и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора 800 мА.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера не более 8 мкА (60В).
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером 40... 200.
Ск - емкость коллекторного перехода не более 15 пФ.
Rкэ нас - сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером не более 2,5 Ом.
tрас - время рассасывания не более 100 нс.