В корзине пусто!
Ваш город: Ярославль
Хотите продать микросхемы 2ТС613Б - Вы в верном направлении! Компания «Ярославский завод вторичных драгоценных металлов» скупает микросхемы 2ТС613Б дорого.
Продать микросхемы 2ТС613Б Вы можете в новом или б/у состоянии. Возможен наличный и безналичный расчет.
Возможна почтовая пересылка.
Основные технические параметры 2ТС613Б:
- Транзисторные матрицы 2ТС613Б, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов.
- Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры.
- Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
- Тип прибора указан на корпусе.
- Масса матрицы не более 4 г.
Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС613Б
| Структура транзисторной сборки | n-p-n |
| Рк max - постоянная рассеиваемая мощность коллектора | 800 мВт. |
| fгр - граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | не менее 200 МГц. |
| Uкбо max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | 60 В. |
| Uэбо max - максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | 4 В. |
| Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора | 400 мАэ. |
| Iк и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора | 800 мА. |
| Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | не более 8 мкА (60В). |
| h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером | 40... 200. |
| Ск - емкость коллекторного перехода | не более 15 пФ. |
| Rкэ нас - сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | не более 2,5 Ом. |
| tрас - время рассасывания |
не более 100 нс. |
