В корзине пусто!
Хотите продать микросхемы 2ТС613Б - Вы в верном направлении! Компания «Ярославский завод вторичных драгоценных металлов» скупает микросхемы 2ТС613Б дорого.
Продать микросхемы 2ТС613Б Вы можете в новом или б/у состоянии. Возможен наличный и безналичный расчет.
Возможна почтовая пересылка.
Основные технические параметры 2ТС613Б:
Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС613Б
Структура транзисторной сборки | n-p-n |
Рк max - постоянная рассеиваемая мощность коллектора | 800 мВт. |
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | не менее 200 МГц. |
Uкбо max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | 60 В. |
Uэбо max - максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | 4 В. |
Iк max - максимально допустимый постоянный ток коллектора | 400 мАэ. |
Iк и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора | 800 мА. |
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | не более 8 мкА (60В). |
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером | 40... 200. |
Ск - емкость коллекторного перехода | не более 15 пФ. |
Rкэ нас - сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | не более 2,5 Ом. |
tрас - время рассасывания |
не более 100 нс. |